半导体导电原理

半导体的导电原理也是因为有电子通路——流通

所有物质(包括半导体)的导电原理同出一辙——流通

半导体一般是由4 价的硅（或者是锗，以下同）为主体材料，它们的晶体结构也和金刚石一样，每个原子结合成4 个结构元在空间等距、有序环绕，构成金刚石结构，很纯的单晶硅基本不导电。

在纯硅晶体中加了少量的５价元素后，就形成了N型半导体。

在纯硅晶体中加入少量的３价元素后，就形成了P型半导体。

[分析] 在上一章谈到了金属物质的导电，谈到了流通，建立了电子空位之说，论述了电压波的传导和金属的导电。有人会问：硅、锗、金刚石等物质的原子外层仅4个价电子，还有4个空位，那它们为什么不导电？石墨也是由碳原子构成，它为什么又导电呢？

这里需要说明的是：导电是物质的整体性能，不应以单个或几个原子的状态来认识整体，电子空位是电子在价和运动时出现的暂时效应，不能以静止的眼光来看待空位，亦不能以静止的眼光来看待物质的导电。

在硅、锗晶体中每个原子与相邻的4个原子共用外层电子组成4个结构元，四周的价和电子以均匀的速率规则绕核心而运动，从整体上看，其核外电子层是均匀饱满的，难以形成电子空位，所以它不导电(电阻很大)。

石墨是由碳原子构成，其外层有4个价电子，但是其晶体是片状石墨晶格结构，每个原子与周边的3 个原子组成平面丫字形结构元，进而结合成平面六边形结构，而另一价电子则在两平面间作价和运转。其原子的层间间距是平面间距的二倍多，层间价和电子在途时间较长，层间电子在途时，就形成了电子空位，电压波在其间传导，电子在回路中换位移动形成电流，于是石墨就成了良好的导体，同时也构成了石墨导电体的方向性。

Ｎ型半导体    在纯硅晶体中加了少量的５价元素后，就形成了N型半导体。

掺杂加入的5价元素，例如磷原子镶嵌在硅晶体中，磷原子占据了晶体中硅原子的一个位置，磷的5个价电子参与硅中的4个价和运转，尚有1个价电子无价和轨道，这多出的一个电子并不是在外老实呆着，而是稍有机会就混杂进入别的价和运转的轨道中，参与价和运转，扰乱了原硅晶体均匀的速率，使得整个晶体中的价和电子的运转出现了拥挤和等待的紊乱现象。

有许多瞬时价和电子因途中紊乱而没有到位，于是晶体中出现了临时性的电子空位(临时性空位在晶体中占有一定概率)，电压波可以乘机传导，电子可以在电压波的引导下乘虚而入，形成电子的定向流动——电流。

这样，掺杂５价元素使得硅晶体的导电能力增加，形成了N型半导体。

由于N型半导体是掺杂多电子元素使规律运转的核外电子产生运动不均衡,发生混乱所形成的电子空位，而温度上升能加剧核外电子运动的混乱，所以温升能有效地增加N型半导体的导电能力，即N型半导体有较强的热敏性能。

Ｐ型半导体  在硅晶体中加入少量的３价元素后，就形成了P型半导体。

３价元素例如硼，在价和结构中顶替了一个硅原子，因硼外层只有3个价电子，使得与硼相连的4个结构元中有一个是单电子价和运转，形成了电子空位。与这个单电子结构元相连的6个结构元相继有电子进入补充，形成了更多的电子空位，电压波乘机在电子空位间传导，引导电换位移动形成电流。这样，掺杂３价元素使得硅晶体的导电能力较大地增加，形成了Ｐ型半导体。

与单电子结构元相连的6个结构元的外端又连着18个结构元相继有电子进入补充，这样电子空位呈２×３ｎ扩展，也就有更多的结构元有可能呈现电子空位。于是，该晶体的导电能力也呈几何级数增加，所以Ｐ型半导体的导电能力较好。

在掺杂比例相等的情况下，P型半导体的导电能力比N型半导体要大上千倍，其实质原因就在于此。P型半导体的电子空位是掺杂物直接带来的，不像N型半导体是由掺杂多出电子造成拥挤、混乱所形成的，所以P型的热敏性能没有N型半导体那么明显。

不管是N型还是P型半导体，其导电能力都是由电子空位提供的。电子空位则是由晶体中杂质分布而引起价和电子紊乱运行所致，所出现的电子空位是瞬时的、随机的。这也导致了半导体的“测不准”及温升、热敏、光敏等诸多物理性质。

二极管   把N 型和P 型半导体材料紧密结合起来外端连上导线，就形成了半导体二极管。二极管关键的部位在两种材料的结合处，人们称之为P N 结。晶体管的P N结的实质是疏通或堵塞电子空位。

由于N 型半导体是5 价的磷镶嵌在硅晶体中，磷在以4 价为主体的硅结构元的连接中，有多出的电子。而在P 型半导体中是3 价的硼在以硅为主体的结构元连接中，顶替了一个硅原子的位置，在整体上则缺少电子。

把这两种晶体紧密结合，N 型半导体中多出的电子向P 型半导体中扩散。这样，在结合部附近，N 型半导体中多出的电子正好填补了P 型半导体中的电子的缺失。形成P N结。因为物质的每个电子都有原来的归属，这样的扩散不可能太远，也不稳定。所以P N结很薄，也不很稳定。存在着较少的临时电子空位，电压波还是能在其间传导。

在二极管中，P N结的电阻最大，P区电阻最小，N区电阻在二者之间。

如果在二极管加上反向直流电压（使电子由P流向N的电压），在电压的驱使下电子由P 极进入，经过电子空位，到了P N 结处。因为Ｐ区的电阻最小，电子流速较快，大量的电子到达P N 结处，电阻变大、运动受阻，电子就在P N 结前聚积，把Ｐ区更多的电子空位填满，使得P N结变宽，电阻更大，大到连电压波也不能导通。于是，从P 极进入的电子填塞了电子空位，没有了电子空位,所以此路不通。

在二极管上加上正向直流电压，（电子由N流向P的电压），在电压的驱使下，因为Ｐ区的电阻最小，P N结中的电子迅速地流向Ｐ区，打破了P N 的平衡，使得P N结中缺少电子，形成一个新的Ｐ区。（实际上这时P N 结已不存在，已经形成了新的Ｐ型半导体）在电压的驱使下，电子进入N 区。外电子的到来，更加剧了N 区价和电子运动的紊乱，使N区的导电能力增加，多出的电子顺利地通过了P N 结涌向P 区，因为这时P N 结已不存在，Ｐ区的电阻最小，电子在Ｐ区流动最快，不会形成淤积、堵塞，所以形成了通畅的电流。

综上所述，电子由P 区向N 行不通，而由N 向P 则势如破竹，这样，就形成了二极管的单向导电性能，所以二极管可以用来整流、检波（截断反向电流）还可以利用二极管反向电阻大，在电路中起隔离作用。